아이언디바이스가 100V 하프브릿지 GaN 전력소자와 게이트드라이버를 단일 패키지로 통합한 초소형 파워 스테이지 솔루션을 선보였다. 온저항(RDS(on))은 5.5mΩ으로, 휴머노이드 로봇 관절 내부의 좁은 공간에서 발열과 전력 손실 문제를 해결하기 위해 설계됐다. 이 솔루션은 2026년 8월 26일부터 28일까지 중국 선전에서 열린 PCIM Asia 2026에서 공개됐으며, 통합형 BLDC 서보 액추에이터(Integrated BLDC Servo Actuator) 데모도 함께 시연됐다.
FoWLP 패키징으로 열 방출·소형화 동시 확보
이번 솔루션의 핵심은 FoWLP(Fan-out Wafer Level Package) 패키징 공정이다. GaN 전력소자와 게이트드라이버를 하나의 패키지에 통합하면서도 열 방출 효율을 높이고 패키지 두께와 면적을 줄였다. 아이언디바이스는 이를 통해 세계 최소형 GaN 파워 스테이지를 구현했다고 주장하며, 5.5mΩ 수준의 낮은 온저항으로 발열과 전력손실, 노이즈를 함께 줄였다고 설명했다.
전시 현장에서는 고부하 연속 구동 데모를 통해 발열 제어와 효율 개선이 검증됐다. 주요 적용 대상은 QDD 액추에이터로, 로봇 관절처럼 좁은 공간에서 고출력·고효율 제어가 요구되는 부품이다. 전시장을 찾은 글로벌 고객사 관계자는 “액추에이터 모터 드라이버 IC의 열 관리 문제를 해결하기 위해 GaN 기반 전력소자 도입을 검토하고 있다”며 “휴머노이드 로봇을 비롯해 고출력·고효율 제어가 필요한 산업에서 활용 가능성이 크다”고 말했다.
텍사스인스트루먼트·인피니언과 겨루는 GaN 원천기술
글로벌 GaN 구동 반도체 시장은 텍사스인스트루먼트와 인피니언테크놀로지 등이 주도하고 있다. 아이언디바이스는 자체 원천기술을 바탕으로 이 시장에서 경쟁력을 제시하겠다는 계획이다. 선정현 아이언디바이스 부사장은 “피지컬 AI 시대에는 차세대 기기의 소형화와 고효율을 동시에 충족하는 화합물 전력소자용 파워 IC의 중요성이 커진다”고 말했다.
선 부사장은 이어 “초소형화와 고집적화, 저손실 경쟁력을 바탕으로 휴머노이드 로봇과 AI 데이터센터 등 고부가가치 시장을 공략하겠다”고 밝혔다. 아이언디바이스는 향후 적용 분야를 로봇 관절 액추에이터에서 로봇핸드, 피지컬 AI 기기, AI 데이터센터용 전력 시스템으로 확장할 계획이다.